工艺案例 | 邑文科技CCP介质刻蚀工艺

发布时间：2025-08-06

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在半导体制造过程中，介质用于保护目标材料免受刻蚀损伤。它们通常是化学惰性、熔点高且具有高刻蚀选择性的材料。常见的介质类硬掩模包括二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si₃N₄）和氧化铝（Al₂O₃）等。这些材料在光刻胶无法满足要求时被选用，特别是...

邑文快讯 | 国产芯突破！邑文科技首台12英寸CVD SPV 12D化学气相沉积设备成功交付成都比亚迪半导体

发布时间：2025-07-22

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2025年7月21日，邑文科技再传捷报——邑文科技自主研发的首台12英寸化学气相沉积设备SPV 12D正式交付成都比亚迪半导体产线！这不仅标志着国产化学气相沉积设备挺进12英寸核心工艺圈，更为车规级芯片制造注入"中国芯"动力。...

聚焦前沿 · 半导体技术 | 第八届邑文科技论坛圆满落幕

发布时间：2025-07-14

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在全球科技竞争日趋激烈的当下，半导体产业正迎来前所未有的发展机遇与挑战。作为信息技术产业的核心，半导体技术的每一次突破都深刻影响着智能终端、新能源汽车、5G 通信等众多领域的迭代升级。其中，宽 / 超宽禁带半导体材料与器件凭借耐高温、耐高压...

工艺案例 | 邑文科技离子注入后光刻胶去除工艺

发布时间：2025-06-23

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在半导体制造的离子注入过程中，光刻胶作为关键掩模保护特定区域，其本身会因高能离子轰击而发生显著变化。这些影响涉及化学、物理和结构层面，直接影响后续工艺（尤其是光刻胶去除）的成败。其中的工艺难点主要有离子注入后对光刻胶表面产生的以下几个方面的...

邑文快讯 | 国产装备新突破！邑文科技首台12英寸CCP SPC 12D刻蚀机成功交付成都比亚迪半导体

发布时间：2025-06-20

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近日，邑文科技再传捷报——邑文科技自主研发的首台12英寸介质层刻蚀机SPC 12D正式交付成都比亚迪半导体产线！这不仅标志着国产刻蚀设备挺进12英寸核心工艺圈，更为车规级芯片制造注入"中国芯"动力。...