工艺案例 | 邑文科技离子注入后光刻胶去除工艺

发布时间：2025-06-23

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在半导体制造的离子注入过程中，光刻胶作为关键掩模保护特定区域，其本身会因高能离子轰击而发生显著变化。这些影响涉及化学、物理和结构层面，直接影响后续工艺（尤其是光刻胶去除）的成败。其中的工艺难点主要有离子注入后对光刻胶表面产生的以下几个方面的...

邑文快讯 | 国产装备新突破！邑文科技首台12英寸CCP SPC 12D刻蚀机成功交付成都比亚迪半导体

发布时间：2025-06-20

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近日，邑文科技再传捷报——邑文科技自主研发的首台12英寸介质层刻蚀机SPC 12D正式交付成都比亚迪半导体产线！这不仅标志着国产刻蚀设备挺进12英寸核心工艺圈，更为车规级芯片制造注入"中国芯"动力。...

工艺案例 | 邑文科技ALD布拉格原子叠层技术（Bragg Atomic Stack, BAS）

发布时间：2025-05-26

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DBR（分布式布拉格反射器）是一种基于布拉格反射原理的光学元件，通过周期性交替排列的高、低折射率材料层实现对特定波长光的高效反射。 DBR技术的核心难点集中在纳米级制造工艺、热稳定性、材料体系创新以及集成化设计。...

智汇前沿 · 共拓芯程丨邑文科技第四届科技论坛圆满收官

发布时间：2025-05-13

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在半导体产业向高端化、智能化加速迈进的关键时期，5月9日，由邑文研究院主办的第四届科技论坛在邑文南通制造中心隆重举行。作为公司内聚焦技术创新的重要交流平台，本次论坛以“智汇前沿 共拓芯程”为主题，吸引了邑文研发中心全体技术骨干与泓芯半导体有...

工艺案例 | 邑文科技SINO Plasma 6000 ICP SiC沟槽刻蚀底部圆角与侧壁粗糙度优化开发

发布时间：2025-04-17

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碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高击穿场强、高热导率和宽禁带特性，已成为高压功率器件（如新能源汽车、光伏逆变器、高压电网）的核心材料。然而，传统平面型SiC MOSFET受限于沟道迁移率和电场分布均匀性，难以满足更高功率密...