工艺案例 | 邑文科技SINO Plasma 6000 ICP SiC沟槽刻蚀底部圆角与侧壁粗糙度优化开发

发布时间：2025-04-17

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碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高击穿场强、高热导率和宽禁带特性，已成为高压功率器件（如新能源汽车、光伏逆变器、高压电网）的核心材料。然而，传统平面型SiC MOSFET受限于沟道迁移率和电场分布均匀性，难以满足更高功率密...

SEMICON CHINA 2025圆满收官！邑文科技与您共赴半导体前道设备新未来

发布时间：2025-03-28

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2025年3月26日-28日，全球半导体行业瞩目的SEMICON CHINA展会在上海新国际展览中心落下帷幕。 作为全球半导体行业的“开年大戏”，本届展会以 “跨界全球・心芯相联”为主题，吸引1400 + 家展商、超 18 万人次专业观众...

邑文科技闪耀 SEMICON China 2025 首日！国产半导体前道设备再破局，赋能半导体 “芯” 未来

发布时间：2025-03-26

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3 月 26 日，全球半导体行业年度盛会SEMICON China 2025在上海新国际博览中心盛大启幕！作为半导体前道设备领域的国内领军企业，邑文科技携多款自主研发的刻蚀工艺设备与薄膜沉积工艺设备重磅亮相（展位号：N2-2319），以创新...

展会预告|上海见！邑文科技诚邀您共赴SEMICON CHINA 2025！

发布时间：2025-03-05

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3月26日-3月28日，SEMICON China 2025上海国际半导体展览会将在上海新国际博览中心盛大开幕！...

工艺案例 | 邑文科技SINO Plasma 8000 PVD 热Al填充开发

发布时间：2025-02-26

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PVD（物理气相沉积）热Al（铝）填充开发实验是一种针对纳米级通孔或其他微结构进行铝薄膜沉积的工艺研究，旨在通过优化PVD技术参数和设备配置，实现高深宽比结构的高质量铝填充。以下是该实验的实验目标...