聚势 CSEAC 2026｜邑文科技圆满收官，以硬核装备共筑半导体产业新生态

发布时间：2026-09-02

阅读人数：510814

近日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）于无锡太湖国际博览中心圆满落下帷幕。作为国内半导体设备、核心部件与材料领域的标杆行业盛会，本次展会汇聚 1400 + 产业链企业、12 万 + 专业观众，聚焦设备国产化、先进工...

聚力国产芯｜第十四届 CSEAC 今日开幕，邑文科技 A1 馆 39 号展台邀您共探创新方案

发布时间：2026-08-31

阅读人数：496395

今日（8 月 31 日），第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026） 在无锡太湖国际博览中心正式拉开帷幕。以「做强中国芯，拥抱芯世界」为主题，这场国内半导体设备供应链极具分量的行业盛会迎来万众期待的开幕时刻。...

工艺案例｜邑文科技 CCP SiC Trench刻蚀工艺

发布时间：2026-08-27

阅读人数：762408

在半导体制造过程中，传统平面型SiC MOSFET的性能已接近理论“天花板”，而SiC Trench结构将导电沟道从水平改为垂直，是具有更高性能，更低成本，更迎合市场需求等优势的必然技术演进。但作为业界公认的技术难点，Trench型器件迟迟...

芯聚无锡｜邑文科技邀您相约 CSEAC2026，共探装备国产化新机遇

发布时间：2026-08-05

阅读人数：822483

第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC2026）即将启幕，作为国内半导体设备领域年度标杆盛会，展会汇聚万千行业同仁，搭建技术交流、供需对接、产业协同优质平台。...

工艺案例｜邑文科技 ICP 100μm GaAs深刻蚀工艺

发布时间：2026-05-15

阅读人数：933562

在VCSEL芯片、光通信器件、微波射频器件制造中，GaAs（砷化镓）深刻蚀是器件结构制备的核心关键工艺。传统湿法刻蚀存在钻蚀严重、刻蚀形貌难以控制、工艺污染严重等问题；而 ICP 电感耦合等离子体干法刻蚀具备刻蚀速率高、剖面形貌可控、片内与...