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SINO ALD C200 叠层镀膜沉积设备

工艺应用
栅极高K介电层与金属层,深沟槽(深宽比>200以上)MIM结构,TSV深孔镀膜。



晶圆尺寸
8寸及以下



沉积材料
Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、ZrO2、Ta2O5、ZrO2、 La2O3、AlN、TiN、 TaNx 、Cu、Co﹑Ru et al



应用领域
GaN HEMT功率半导体,SiC MOS-FET功率半导体,铁电存储器FRAM,MEMS,8寸集成电路IC,3D封装。



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